طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور نانولوله کربنی برای تقویت در محدوده مایکروویو

با توجه به مشکلاتی که با کاهش مقیاس مدارها به ابعاد زیر میکرون (به منظور افزایش سرعت، افزایش چگالی ادوات و ...) برای ادوات سیلیکونی پیش آمده است نیاز به استفاده از مواد جدیدی در ساخت ترانزیستورها مطرح شده است. یکی از موادی که به عنوان نامزدی برای استفاده در ترانزیستورها به عنوان ماده کانال مطرح است نانولوله کربنی است. نانولوله کربنی با توجه خواص فوق العاده اش مانند رسانندگی بالا، انتقال بالیستیک، تحمل چگالی جریان بالا می تواند در آیند? مدارهای الکترونیکی نقش مهمی داشته باشد. همچنین انتظار می رود بتوان از ترانزیستورهای نانولوله کربنی به عنوان افزاره های فرکانس بالا استفاده کرد. از لحاظ تئوری می توان فرکانس قطعی در حد تراهرتز برای این ترانزیستورها انتظار داشت. به همین علت بررسی رفتار فرکانسی این ترانزیستورها و تاثیر پارامترهای مختلف بر آن از اهمیت ویژه ای برخوردار است. در این پایان نامه ضمن بررسی عوامل موثر در پاسخ فرکانسی افزاره های نانولوله کربنی و افزایش سرعت آن ها، بر اساس فیزیک و روابط حاکم بر این افزاره ها و به کمک انجام شبیه سازی های متعدد نقش پارمترهای مختلف در افزایش سرعت افزاره به تفصیل مورد بررسی قرار گرفته است.